国防科技大学电子科学与工程学院吴建飞博士学术报告
时间：2015-05-08 来源：信息工程学院 访问量：
讲座内容： LDO模拟集成电路电磁兼容敏感度机理研究
报告人：国防科技大学电子科学与工程学院 吴建飞 博士
报告地点：西教二--407
报告地点：西教二--407
报告时间：5月15日11:00点
摘要：
低压差线性稳压器（LDO）是目前应用最广泛的电源类芯片。随着日常电磁环境的恶化，以及在航空航天、汽车等特殊领域的刚性需求，LDO电磁敏感度成为学术界和企业界的研究热点。本研究根据LDO在电磁干扰（EMI）作用下的失效模式，分析LDO失效对电路系统预期造成的影响。着重于查明EMI作用下的失效机理，通过敏感度建模和仿真，对失效机理进行了分析验证。
基于一款飞思卡尔实验芯片和工业级LDO稳压器芯片，分析了关键子电路和寄生元件对其敏感度影响，分别采用电路级和行为级方法建模，仿真结果实现了与测试结果在整个频域的匹配。创新地将LDO的敏感度与可靠性研究结合，采用电应力加速老化方法，老化后LDO稳压器对电源线上的EMI扰动更加敏感。建立稳压器的敏感度和可靠性失效模型，深入剖析老化时单元电路例如CMOS晶体管阈值电压、迁移率等参数偏移影响，实现了稳压器老化过程中的敏感度差异性仿真，可用于LDO生命周期内的敏感度水平预测。
个人简介：
现工作于国防科技大学电子科学与工程学院电子科学与技术系。2006年毕业于国防科技大学电子科学与工程学院电子工程专业。2006年至2008年间就读于国防科技大学电子科学与工程学院，获电路与系统专业硕士研究生。2009年就读于国防科技大学信息与通信工程专业博士研究生，2010-2012受国家留学基金委公派，在法国国家科学应用学院联合培养25个月，于2013年6月获得博士学位。研究方向为模拟集成电路电磁兼容建模仿真与测试验证。近4年作为项目骨干，参与了6项欧盟、法国、国家和军队科研项目，以第一作者发表SCI和EI学术论文10余篇。