5月21日关于邱佳玮等硕士研究生答辩的公告
时间：2025-05-16 来源： 作者： 访问量：
答辩时间：2025年5月21日（星期三）8:30
答辩地点：微电子所202会议室
答辩委员会：张保国(教 授)、周建伟(教 授)、高宝红(副研究员)、王 如(高级实验师)、
杨学莉(副教授)、石芸慧(讲 师)
答辩秘书：周佳凯（博士、讲师）
答辩顺序：
序号 |
答辩人 |
专业 |
论文题目 |
备注 |
1 |
邱佳玮 |
新一代电子信息技术（含量子技术等） |
二维硼化铬基超级电容器的交流滤波性能研究 |
|
2 |
程佳宝 |
新一代电子信息技术（含量子技术等） |
Co掺杂CeO2磨料的可控合成及对SiO2介质的抛光机理研究 |
|
3 |
王艺展 |
电子科学与技术 |
二维硼化钼-有机配体的制备及储锌特性研究 |
|
4 |
霍金向 |
新一代电子信息技术(含量子技术等) |
铜膜CMP络合添加剂的优化及界面反应机理的研究 |
|
5 |
贺斌 |
新一代电子信息技术（含量子技术等） |
不同活性剂在GLSI铜布线CMP中吸附机理及应用的研究 |
|
6 |
李雯浩宇 |
电子科学与技术 |
GLSI铜膜CMP抛光液中抑制剂优化与机理的电化学研究 |
|
7 |
陈旭华 |
新一代电子信息技术（含量子技术等） |
抛光液组分对硅通孔钽基阻挡层化学机械抛光影响的研究 |
|
8 |
杜占杰 |
电子科学与技术 |
基于混合磨料的硅通孔晶圆背面化学机械抛光的性能研究 |
|
9 |
尤羽菲 |
新一代电子信息技术（含量子技术等） |
高级氧化体系下Ru互联无磨料CMP作用机理的研究 |
|
10 |
张潇 |
新一代电子信息技术（含量子技术等） |
FinFET器件多晶硅化学机械抛光速率控制的研究 |
|
11 |
刘扬 |
新一代电子信息技术（含量子技术等） |
MEMS 器件超厚绝缘介质层去除均匀性及厚度控制研究 |
|
12 |
王义军 |
电子科学与技术 |
钼阻挡层电偶腐蚀及去除速率选择性研究 |
电子信息工程学院
2025年5月16日