5月21日关于赵家栋等硕士研究生答辩的公告
时间：2026-05-15 来源： 作者： 访问量：
答辩时间：2026年5月21日（星期四）13:30
答辩地点：微电子所202会议室
答辩委员会：檀柏梅(教 授)、王胜利(教 授)、何彦刚(副研究员)、高宝红(副研究员)、
黄 丽(副教授)、石芸慧(副教授)
答辩秘书：周佳凯(博士、讲师)
答辩顺序：
序号 |
答辩人 |
专业 |
论文题目 |
备注 |
1 |
赵家栋 |
电子科学与技术 |
钌基阻挡层CMP中的氧化/络合机理与控制研究 |
|
2 |
赵新雨 |
电子科学与技术 |
添加剂和CeO2磨料在介质表面的协同作用机理及控制 |
|
3 |
徐遥 |
电子科学与技术 |
二维MoB/Ni3S2基非对称超级电容器的制备及滤波性能研究 |
|
4 |
刘义鑫 |
电子科学与技术 |
基于扫描电子显微镜的二硫化钼成像研究及其晶界演化分析 |
|
5 |
郭永康 |
电子科学与技术 |
集成电路多晶硅薄膜微区平坦化控制机理研究 |
|
6 |
张丽红 |
电子科学与技术 |
基于Ag/CeO2磨料对碳化硅光催化化学机械抛光的机理研究 |
|
7 |
戈延超 |
新一代电子信息技术(含量子技术等) |
SOI CMP中氧化层薄膜与硅薄层平坦化控制研究 |
|
8 |
胡西联 |
新一代电子信息技术(含量子技术等) |
pMOS器件锗沟道CMP速率及表面质量控制研究 |
|
9 |
王勇鑫 |
新一代电子信息技术(含量子技术等) |
非球形氧化铈磨料的可控构筑及其对SiO2的CMP作用机制 |
|
10 |
于碧波 |
新一代电子信息技术(含量子技术等) |
氧化铈及其掺杂磨料对SiO2 CMP的研究 |
电子信息工程学院
2026年5月15日