5月22日关于张彤彤等硕士研究生答辩的公告
时间：2025-05-16 来源： 作者： 访问量：
答辩时间：2025年5月22日（星期四）8:30
答辩地点：微电子所202会议室
答辩委员会：潘国峰(教 授)、刘玉岭(教 授)、牛新环(教 授)、罗 翀(高级工程师)、
黄 丽(副教授)、齐宇航(讲 师)
答辩秘书：周佳凯（博士、讲师）
答辩顺序：
序号 |
答辩人 |
专业 |
论文题目 |
备注 |
1 |
张彤彤 |
新一代电子信息技术（含量子技术） |
无缓蚀剂Cu膜CMP粗抛速率与表面质量研究 |
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2 |
何潮 |
新一代电子信息技术（含量子技术等） |
表面活性剂对钴基铜互连铜膜CMP性能的影响及机理研究 |
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3 |
赖景辉 |
新一代电子信息技术（含量子技术等） |
基于CeO2磨料的硅衬底材料光催化辅助CMP的机理研究 |
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4 |
董常鑫 |
新一代电子信息技术（含量子技术等） |
富含磷酸官能团的缓蚀剂对钌基铜互连铜膜CMP性能的影响及机理研究 |
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5 |
王尚妍 |
新一代电子信息技术(含量子技术等) |
MOF衍生Co3O4基气体传感器的制备及其气敏性能研究 |
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6 |
李鑫杰 |
电子科学与技术 |
机械-化学协同作用对C/A/M面蓝宝石CMP性能的影响 |
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7 |
王思远 |
电子科学与技术 |
表面吸附层对扫描电子显微镜中GaN掺杂衬度的影响研究 |
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8 |
史万里 |
新一代电子信息技术（含量子技术等) |
先进PMOS Ge沟道化学机械抛光速率控制机理研究 |
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9 |
邸英琦 |
新一代电子信息技术（含量子技术等) |
Co基阻挡层CMP及其界面腐蚀抑制机理研究 |
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10 |
佘柳楠 |
电子科学与技术 |
钴互连CMP及其界面电化学腐蚀抑制机理研究 |
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11 |
岳泽昊 |
电子科学与技术 |
基于硅溶胶体系的SiC精抛光液及其抛光机理的研究 |
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12 |
刘文博 |
新一代电子信息技术（含量子技术等） |
300 mm硅衬底CMP速率与表面质量控制机理的研究 |
电子信息工程学院
2025年5月16日