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包含科研项目、成果、专利、论文、专著、奖励、荣誉和学术兼职等
科研项目：
1、 超大规模集成电路多层铜布线CMP技术与专用材料，国家中小企业创新基金。
2、 CMP专用纳米磨料生长粒径控制技术研究。高等学校博士学科点专项科研基金。
3、 CMP专用新型纳米磨料制备技术的研究，主持，到校经费20万。
奖励：
1、 FA/O半导体材料切削剂及技术。2004年度天津市科学技术发明二等奖。
2、 固定表面高精密加工技术及专用纳米材料。2005年度天津市科学技术发明二等奖。
成果：
1、 ULSI制备中SiO2介质表面状态的研究。津20030657。天津市自然科学基金。国际领先。
2、 超大规模集成电路（ULSI）SiO2介质CMP机理研究。省级登记号：20030685，国际领先。
3、 集成电路硅衬底抛光片表面吸附粒子吸附状态的控制方法。津20044125。
4、 铝、钽、钨、铜及氮化钛等金属纳米磨料CMP技术的研究。津20050004。国际领先。
5、 纳米材料在微电子技术中的应用。津20050007。国际领先。
6、 超大规模集成电路硅衬底化学机械研磨技术的研究。国内领先。
7、 蓝宝石衬底纳米磨料CMP技术的研究。津20050006。国际领先。
8、 CMP专用纳米磨料生长粒径控制技术研究。津20070388。国际领先。
著作：
1、 微电子化学技术基础。刘玉岭，李薇薇，周建伟2005.7，北京：化学工业出版社，主编。ISBN 7-5025-6548-5
2、 微电子工艺基础。李薇薇，王胜利，刘玉岭。2007年1月，北京：化学工业出版社，主编。ISBN 978-7-5025-9520-3
专利：
1、 超大规模集成电路多层铜布线中铜和钽的化学机械全局平面化抛光液。刘玉岭，张楷亮，李薇薇。2004年2月4日。专利号：ZL02116761.3，授权时间：2004.02.04
2、 集成电路硅衬底抛光片表面吸附粒子和吸附状态的控制方法。刘玉岭，刘钠，张楷亮，李薇薇。2003年9月10日。专利号：ZL02116760.5，授权时间：2003-09-10
3、 利用电化学作用去除集成电路晶片表面污染物的方法。刘玉岭;李薇薇;常明;潘鹏。公开号：CN1866466。专利号：ZL 200610014440.8，授权时间：2008-6-04
4、 一种液晶显示器的清洗剂及其清洗方法。刘玉岭;李家荣;周云昌;李薇薇;李广福;孙文健。公开号：CN1858172。公开日：2006.11.08
5、 液晶显示屏水基清洗剂。刘玉岭;李广福;李薇薇。公开号：CN1865420。公开日：2006.11.22
6、 硅磨片清洗剂。刘玉岭;李广福;李薇薇。公开号：CN1865421。公开日：2006.11.22
7、 液晶显示屏电化学清洗方法。 刘玉岭;李薇薇;常明;潘鹏。公开号：CN1895798。公开日：2007.01.17
8、 利用电化学作用去除集成电路晶片表面污染物的方法，刘玉岭，李薇薇，常明，潘鹏。专利号：ZL 200610014440.8。授权日2008年6月4日。
论文：
1、 Li Wei-wei, LIU Yu-ling, TAN Bai-mei. A study on a new kind of substituted technology of Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ fluid. SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY(ISTC2004) 303～310。（EI收录）；（EI收录:05519594045 ）
2、 Li Weiwei, Liu Yuling, Xing Zhe, Li Guangfu . Copper ion complexion on Cu CMP in ULSI. SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY(ISTC2004) 273～276。（EI收录）；（EI收录：05519594039）
3、 Liu Yuling, Li Weiwei, Niu Xinhuan, Zhang Jianxin, Study on fabrication nanometer alkalescent abrasive CMP slurry and polishing technology. SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY(ISTC2004)：294~298（EI收录）
4、 Zhou Jianwei, Liu Yuling, Li,Weiwei, Han Yunpeng, The research of the slicing slurry in the process of the ULSI substrate slicing.SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY(ISTC2004：284~287。（EI收录）
5、 李薇薇，刘玉岭，檀柏梅，周建伟，王娟。利用表面活性剂有效去除ULSI衬底硅片表面吸附颗粒，电子器件2005年6月第28卷第二期。283～285，EI收录；（EI收录：05259172665）
6、 Li Wei-wei，A New Kind of Technology for Post CMP Cleaning in IC Fabrication，ISTC2009，3月，128~129（EI收录：20101512846044）
7、 Li Weiwei The Mechanism of Organic Base and Surfactant in Silicon Wafer CMP Process. ISTIC2011.225 （EI收录：20112614108471）
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